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Definición

El transistor MOS es un dispositivo de efecto de campo. Se construye sobre la superficie de un semiconductor intrínseco, se hace crecer una capa de oxido de silicio, que es un aislante bastante bueno. Sobre esta capa de aislante se ha depositado una placa metálica (electrodo de puerta). La zona inmediatamente debajo de la placa de puerta, en el cuerpo del semiconductor, se denomina canal. Si se aplica la adecuada polarización entre la puerta y el semiconductor, se puede acumular una determinada cantidad de carga minoritaria (electrones), que siempre está presente en un semiconductor por la rotura espontánea de enlaces en el cristal debida a la temperatura. Esta carga acumulada podría cerrar un camino entre dos contactos metálicos situados a ambos lados del canal. La aplicación o retirada de la diferencia de potencial entre la puerta y el semiconductor podría conmutar (hacer aparecer o desaparecer, cerrar o abrir) el contacto de carga así formado. Esta estructura se conoce con el nombre de dispositivo MOS (Metal Oxido Semiconductor )

Términos vinculados:

• CMOS
• TTL
• FET
• Colector Abierto